2017-09-20 09:59:33

xma11_hnu: FRAM铁电存储器应用的多吗

答：NAVIGATION,BMS,T-BOX,CAN-BOX,VCU等

2017-09-20 10:00:14

寻那一抹丁香: FRAM Ferroelectric ROM

答：ferroelectric RAM，它的速度接近SRAM

2017-09-20 10:03:29

suunny: Fujitsu推出的FRAM在面对复杂的用车环境，有什么可靠性方面的优势？

答：AECQ100认证，PPAP，100%出货test，在低温，室温，高温环境下完成测试

2017-09-20 10:04:08

ALTIUM2_fe6: 我想咨询下①富士通的铁电擦写次数很高，但是我如果只读，是不是可以默认为读取次数基本无数次？②富士通的psram使用寿命多久，如果我用其做ui数据存储，是否需要考虑其使用寿命？谢谢啦

答：可以讲无限次。您指的PSRAM目前已经没有了

2017-09-20 10:04:22

xma11_hnu: 国内新能源发展比较好的公司有哪些？有了解的吗

答：新能源汽车电子有关的客户有BYD,沃特玛，科列，宁德时代，YOGOMO

2017-09-20 10:05:57

灵隐桃庵: FRAM高性能存储器的最大存储容量是多少？

答：目前量产是4Mbit

2017-09-20 10:05:00

rooose: FRAM与E2PROM，Flash相比有哪些优势？

答：读写速度快，功耗小，抗辐射能力强， 读写次数达100万亿次以上。

2017-09-20 10:05:51

灵隐桃庵: FRAM高性能存储器的存储速度是多少？

答：更高速度写入 像SRAM一样，可覆盖写入 不要求改写命令 对于擦/写操作，无等待时间 写入循环时间 =读取循环时间 写入时间： E2PROM的1/30,000

2017-09-20 10:05:05

yangzilong07: 寿命主要取决于读取次数

答：写入次数，操作温度等因素吧

2017-09-20 10:06:13

lhg100: 与其它公司的EERAM比，有哪些优势？

答：非易失性 即使没有上电，也可以保存所存储的信息。 与SRAM相比，无需后备电池（环保产品） 更高速度写入 像SRAM一样，可覆盖写入 不要求改写命令 对于擦/写操作，无等待时间 写入循环时间 =读取循环时间 写入时间： E2PROM的1/30,000 具有更高的读写耐久性 确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力 耐久性：超过100万次的 E2PROM 具有更低的功耗 不要求采用充电泵电路 功耗：低于1/400的E2PROM

2017-09-20 10:05:17

凤凰息梧桐: 写入和擦除电压是多少V

答：Fujitsu的FRAM有 1.8V, 3.3V, 5V三种电压规格的产品

2017-09-20 10:05:47

灵隐桃庵: FRAM高性能存储器的擦写次数是多少？寿命呢？

答：目前是100万亿次, 数据保存寿命保证10年

2017-09-20 10:19:16

KiraVerSace: 富士通的fram 跟 cypress比起来呢

答：产品性能兼容,但是富士通有自己的生产工厂,供货稳定

2017-09-20 10:05:27

threadme: 主要针对哪方面？

答：新能源汽车电子：VCU,T-BOX,BMS,CAN-BOX,其他方面更有TPMS,娱乐系统

2017-09-20 10:20:36

小庄2: 能用在平常的消费电子上吗

答：可以,但是FRAM相对价格高点,高端消费类可以考虑

2017-09-20 10:07:09

dl265361: FRAM支持哪几种接口通讯？

答：I2C/ SPI/ PARALLEL接口

2017-09-20 10:09:51

小庄2: FRAM寿命能做多久

答：85C的操作环境是10年

2017-09-20 10:18:44

凤凰息梧桐: FRAM是全进口的吗

答：是,富士通日本工厂生产

2017-09-20 10:12:52

cuixinying: FRAM从技术上来说是目前最好的存储方式吗

答：FRAM结合了EEPROM,FLASH的非易性，和SRAM的随机acess和高速的特点，可以说一个理想的存储器。

2017-09-20 10:07:15

dl265361: FRAM相对于其他厂家的产品有何优势？

答：FRAM的读写速度， 功耗， 可靠性，读写次数方面都比其它类型的E2PROM/FLASH等存储器要好