2018-08-22 10:09:42

lxl666: SiC功率元件如何控制低功耗的？

答：这是SiC物理特性决定的

2018-08-22 10:13:25

laplacewf: 有测试DEMO板可以申请吗？

答：有的，请联系当地销售或代理

2018-08-22 10:14:11

Soobin: ROHM的SiC MOS一定需要负压的吗？ 频率提升至200Khz的情况下，对驱动IC是否有一定的要求，驱动IC的散热是否需要考虑 应用在INV中，寄生二极管的反向恢复是否可能存在问题

答：不一定需要负压。 高频对IC的延迟有要求。 需要考虑。 SiC的反向恢复很快，一般不需要考虑。需要考虑的是二极管的Vf，因为比Si的大

2018-08-22 10:14:23

gongfongbo: SIC MOS的门极开启电压有没有提高一些？不然对PCB走线要求会很高。

答：开启电压与Si一样，都是2-4V。

2018-08-22 10:14:55

laplacewf: 碳化硅功率器件的缺点是什么？

答：驱动比一般MOS或IGBT稍微复杂，价格贵

2018-08-22 10:15:01

ezcui: SiC 功率元件的高温特性具有哪些优势？

答：能够耐更高的温度，高温下的降额比Si小

2018-08-22 10:15:31

亦梦亦真: 官网是否提供pspice模型

答：官网有Spice模型的

2018-08-22 10:15:37

warcraft2126: SiC mosfet 做逆变应用时是否需要并联二极管呢

答：一般都需要

2018-08-22 10:18:50

gongfongbo: SIC的可靠性长期工作时间可达多久？

答：与Si产品在同一水平

2018-08-22 10:19:49

心动的模样: 成本走向是平缓下降么？

答：之前的成本下降是比较快的

2018-08-22 10:20:40

98100: 宽电压交直流转换电源模块碳化硅的效率高么？

答：比传统器件高

2018-08-22 10:20:55

hugengkai168: 使用此产品可以完全兼容传统的IGBT吗？

答：不兼容，驱动电路要重新设计

2018-08-22 10:20:57

武林客栈小宁儿: 您好，之前看到有文章说GLBC中有关SIC的介绍，是应用了超高的功率的电源逆变器中，请问我们的这款功率器件的应用范围和应用场合是什么样的，其开关频率适应范围是多少？谢谢。

答：大功率（3KW

2018-08-22 10:21:11

se7ens: 请问SiC功率器件在新能源汽车应用方面有哪些产品类别，在功率器件的驱动设计及产品的可靠性方面表现如何？

答：现在在新能源车上主要是OBC，DCDC和电驱。可靠性与Si器件在同一水平

2018-08-22 10:21:29

24不可说: 为什么IGBT在实际使用中没有MOSFET普及度高？

答：IGBT只能工作在低频下

2018-08-22 10:21:40

江东俊彦: 碳化硅在驱动方面都说不能直接照搬IGBT驱动，那么在具体使用中需要注意哪些地方，可否选一个方案进行详解。贵司是否可以提供相关的DEMO板用于测试。

答：主要是驱动负压要求比IGBT要严，最高负压不能超过4V。

2018-08-22 10:22:11

gongfongbo: 新的SIC MOS的开启电压会不会高一些，门槛电压太低很容易误开通。

答：SiC MOS的内阻上升曲线是比较平缓的，和IGBT不一样。以1200V 80mohm的芯片来说，就算是8V内阻还有1.2ohm，即使误开启，也只会增加损耗，不会炸管

2018-08-22 10:22:18

inspiration109: 有没有像IPM式的集成式器件？

答：正在开发中

2018-08-22 10:22:02

曹彦飞12: 我购置了贵公司的功率模块bsm300d12p2e001-e搭建了三相桥逆变器，用于驱动电机。我想问下，在工作电压为320V，额定电流150A的工况下，并且在水冷条件较完善的情况，开关频率最大可以做到多少？贵公司是否有关于最大开关频率的相关测试？

答：在水冷的情况下，我们测算过在50Khz，Tj=125度的时候还能过180A电流。

2018-08-22 10:22:27

亦梦亦真: 有资料显示，ROHM SiC MOPSFET与同等级CREE相比，短路耐受能力更强，是这样吗？

答：只能说针对具体的测试样品有这样的结果，不代表有普遍性