2018-08-22 10:22:46

ezcui: 有无廉价优势呢？

答：无

2018-08-22 10:22:57

ezcui: 有无应用局限？

答：低压（650V）以下应用性价比低。

2018-08-22 10:23:14

亦梦亦真: 器件失效后，栅源极一定是短路状态吗？栅极失效是否可以修复？

答：不一定，不可以

2018-08-22 10:23:38

hugengkai168: 碳化硅的功率器件在温差比较大的情况下能保证性能吗？

答：可以。

2018-08-22 10:24:17

qaq7735559: SiC产品价格普遍较高，在价格上如何能做到更加亲民？

答：通过优化设计，不如提升频率，减少变压器，外围器件等，使用SiC也可以做到整机成本与Si器件在同等水平

2018-08-22 10:24:27

亦梦亦真: 问什么Vgs耐受电压会比CREE更低？？

答：基于不同设计及可靠性余量的考虑

2018-08-22 10:25:16

hugengkai168: 驱动电压如果超过18V会不会立马坏掉？

答：不会。上限是22V。超过22V也不会立刻损坏，但长时间会对可靠性有影响

2018-08-22 10:25:48

gongfongbo: 第三代的门极开启电压有没有提高一些？如果提高了是不是可以不用负压驱动？

答：没有。

2018-08-22 10:27:21

stu_deepblue: 请问开启电压漂移原理是什么？

答：简单来说就是在超规格使用的时候，栅极氧化膜会积累电荷，而且不可逆。

2018-08-22 10:28:16

1343: 罗姆半导体集团的在中国的基地分布

答：在天津和大连有封装厂。销售中心在深圳和上海，一些主要城市也有分公司

2018-08-22 10:31:22

gongfongbo: USCI的SIC MOS是在GS之间增加了一个低压大电流的普通MOS，上端再串一个高压大电流的SIC MOS，这种工艺与ROHM的有什么不同？那种工艺更好？

答：USCI其实是Si-MOS加JFET的结构，不是Si-MOS加SiC-MOSFET。JFET有一定的缺点，即使是Si也很少见Si-JFET了。

2018-08-22 10:43:51

warcraft2126: mosfet 的 desat 保护和 IGBT desat 是一个原理吗

答：基本上一样

2018-08-22 10:44:45

541970837: 这个是什么仿真软件？

答：SIMPLIS

2018-08-22 10:48:49

lishiwen: 我想问下SIC功率器达到多高温度，性能开始下降？

答：所有的半导体器件，规格书除特别标记外，都是25度的性能。也就是说25度以上，性能就开始下降了。只不过SiC与Si相比，高温下性能下降的比较少。

2018-08-22 10:49:18

朱明_c53: 推荐的工作温度是多少度

答：一般经验壳温最高不超过125度

2018-08-22 10:52:39

华中某胖: 碳化硅器件的导热特性好具体体现在哪呢？目前碳化硅器件的散热特性有没有很好的利用起来呢？

答：体现在热阻更低。

2018-08-22 10:53:09

liujieyu3601: 有没有高温封装，杂散电感小于10nH的封装有没有？

答：模块的话有。

2018-08-22 10:53:10

亦梦亦真: 多次短路测试之后，对器件开关特性是否影响严重？比如开关振荡会加重？

答：一般不会有严重影响

2018-08-22 10:58:12

super318: 关于SiC器件功率等级的选择，假设工作电压600V内，规格书上持续工作电流为15A，那实际使用中电流控制在多少A下会比较保险？

答：这个还跟频率有关。频率越高，电流越小。

2018-08-22 11:01:23

liujieyu3601: 目前有没有20m欧以内的SiC-MOSFET芯片

答：650V的话有，17mohm，1200V的话只到22mohm