2019-12-17 10:11:15

otsuka: 罗姆第三代产品采用沟槽型栅极构造是否会影响开关性能？

答：开关性能会更好

2019-12-17 10:13:04

h1654155946.8547: 请问罗姆的芯片设计和fundray都是在国内吗?

答：是的

2019-12-17 10:15:52

yuanyufang: 罗姆是否有适用于汽车电子的SiC功率器件产品型号？

答：ROHM的SiC器件大部分都有相应的车载规格

2019-12-17 10:16:11

friendsluo: 用在低压电机驱动性能怎么样？

答：SiC不适合用在650V以下的场合

2019-12-17 10:17:29

efans_ad4: 冷却机制用什么好？

答：现在一般都是水冷吧

2019-12-17 10:17:34

yuanyufang: 罗姆的SiC功率器件产品的工作温度范围是多少？

答：Tj 175度

2019-12-17 10:18:01

h1654155946.8547: SiC的gate driver会有什么不同吗？

答：主要是一个要集成米勒钳位，一个欠压保护要更高，10V

2019-12-17 10:18:15

WWW297743: 仿真软件是哪种啊？

答：ROHM官网可以下载Spice模型，主流的仿真软件都支持

2019-12-17 10:18:36

h1654155946.8547: 会比常规Si器件大概贵多少？

答：规格不同不一样，一般是3-5倍

2019-12-17 10:18:41

77862783: Sic电路中旁路电容加的好，但长时间的工作中旁路电容也会有损坏，有利利有弊。

答：设计得好，米勒MOS起效的话，可以不用电容

2019-12-17 10:18:47

PCB26362214: 现在正在做大功率的SiC变流器，最高电压是1500V，想咨询一下，ROHM目前是否已经有成型的3300V的全SiC模块，什么时候可以商用

答：十分抱歉，3300V还没有量产计划

2019-12-17 10:19:19

flooks771: Sic结温175度，可以正常工作，对吗？

答：是的

2019-12-17 10:19:54

kaokaohe: 听说SiC比Si优势上面就是可以做到体积更小，功耗更低，损耗更小，传输速度更快，宽电压供电，还有就是工作温度更宽，是这样的么？

答：基本是这样

2019-12-17 10:20:53

wayaj: 可以做电机控制的器件？

答：低端的没有优势。现在的趋势是用在电动汽车主驱电控上

2019-12-17 10:21:19

魔神坛斗士: ROHM的SiC MOS一定需要负压的吗？ 频率提升至200Khz的情况下，对驱动IC是否有一定的要求，驱动IC的散热是否需要考虑 应用在INV中，寄生二极管的反向恢复是否可能存在问题

答：不，ROHM第3代是推荐0V关闭的。驱动IC要考虑驱动能力，功耗，散热。寄生二极管反向恢复不存在问题

2019-12-17 10:22:13

qditz: 第三代SI有哪些优势？

答：由于采用沟道设计，内阻，开关损坏，价格都有明显改善

2019-12-17 10:22:18

魔神坛斗士: 器件失效后，栅源极一定是短路状态吗？栅极失效是否可以修复？

答：不一定。不能。

2019-12-17 10:24:04

李轶凡: 超过电压范围多大，会彻底损坏碳化硅

答：具体的器件有具体的值，没有统一的数。但是超过我们的规格值，就会有损坏的风险。

2019-12-17 10:26:43

羽123456: 贵公司的SiC开通时间和关断时间和IGBT比优势有多大呢，数据手册上没有太直观的表现啊

答：单次开关，一般开关损坏可以减少一半以上

2019-12-17 10:26:58

任我行2011: 有车规级的物料吗

答：大部分通过车规认证