2019-12-17 10:46:40

JackyCai: ROHM的SIC的竞争对手有哪些，各家有什么优势？

答：Cree，Infineon，ST，ON等。ROHM最大的优势是SiC衬底是自己工厂的。

2019-12-17 10:47:43

yinwuqing: SiC在极小的封装上有什么弊端？

答：这个由于同规格SiC的芯片更小，所以应该没有什么弊端

2019-12-17 10:46:48

ezcui: SiC功率器件是否也有哪些性能短板呢？

答：最主要的话就是GS间的电压没有Si器件宽，驱动电路的要求更高

2019-12-17 10:48:28

tianruo521: SiC IGBT是否需要专门的预驱芯片？

答：暂时没有SiC-IGBT产品，现在是SiC-MOS。专门的芯片不是必须的，但专门的更好

2019-12-17 10:47:53

ezcui: SiC功率器件的热阻啥水平？

答：跟Si一个等级

2019-12-17 10:48:48

ezcui: SiC功率器件产品有无功率极限？

答：不会有这样的器件

2019-12-17 10:48:55

魔神坛斗士: USCI的SIC MOS是在GS之间增加了一个低压大电流的普通MOS，上端再串一个高压大电流的SIC MOS，这种工艺与ROHM的有什么不同？那种工艺更好？

答：USCI是Si-MOS+SiC-JFET，和其他的SiC-MOSFET不是一个设计。

2019-12-17 10:49:30

郭文勇: 為什麼正溫度係數適合器件並聯？

答：电流大->温度升高->损耗（内阻）变大->电流自动平衡

2019-12-17 10:49:30

魔神坛斗士: 利用功率模块bsm300d12p2e001搭建H桥进行测试时，由于未采用冷却导致温度过高，一个模块炸裂，另一个模块未损坏，但是承受过高温，继续使用会有什么安全隐患吗？

答：未做全面测试不敢肯定答复，但一般没有太大的问题。

2019-12-17 10:52:06

羽123456: 在单脉冲实验里感觉SiC和IGBT比起来开关速度优势没那么明显，请问sic怎么做到更高频率的呢

答：不知单脉冲的结果是如何。但SiC已经有500KHz的大功率商用产品了。IGBT最多最多也就100K吧

2019-12-17 10:57:33

魔神坛斗士: 如何调整碳化硅 mosfet 驱动减少功率损耗

答：这个说起来很大。主要是采用合适的驱动电阻，还有合适的缓冲回路吧

2019-12-17 10:58:25

魔神坛斗士: 1.请问SiC功率器件运用在光伏、新能源汽车中 ，它相对于Si器件能带来的优势是什么，能给出具体一点的说明吗？

答：就是效率高，体积小。光伏都是几百KW，甚至上GW级，效率提升个1%，电费都比SiC的价格多多少。 电动汽车，体积小可以放更多电池，和效率高一起让汽车的续航里程更长

2019-12-17 10:58:53

xy598646744: sic是不是驱动所需要的电流更小？

答：要看具体的规格，一般来说是的

2019-12-17 10:58:42

bjfine: 有推荐应用电路吗？

答：有的。

2019-12-17 11:00:03

xy598646744: Cgs会受热有变化吗？

答：你说的是外置的Cgs吗，会

2019-12-17 11:00:57

王者wzg: 这个功率半导体比其他的有啥优点

答：高频，高温，高压，高效

2019-12-17 11:00:34

linghz: 在选择功率器件时，主要考虑哪些因素？

答：电压，电流，目标效率等

2019-12-17 11:02:37

linghz: SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系是什么？

答：Vgs越高，内阻越小。推荐的驱动电压附近可以饱和

2019-12-17 11:02:52

lxl666: 碳化硅和IGBT哪个更适合高压？

答：单从材料特性来说，是SiC。但由于IGBT发展的时间长很多，1700V以上的应用还是以IGBT为主

2019-12-17 11:04:05

tianruo521: 如何大致估算SiC-Mos的开关损耗和导通损耗？

答：开关损坏规格书会给出。导通损坏就是电流平方乘以内阻了