2023-01-05 09:58:35

linghz: 储能ESS模块最大功率可以做到多少？

答：使用模块，可以做大几百kw。 甚至高达Mw级别

2023-01-05 09:54:38

沈卫民: 体积和散热如何协调处理？

答：如果不考虑周围其他器件，只考虑碳化硅本身，只要不超过结温并留有一些温度余量，一般的碳化硅器件最高结温可到175°C

2023-01-05 10:08:48

wxgsnake: 现在技术成熟度怎么样 还有什么新技术新应用

答：对于器件本身，每个原厂的SiC

2023-01-05 10:08:23

otsuka: Sic的温度特性差异主要是有什么决定的？

答：主要是由sic材质决定的，该材料的特性决定其非常适合在高温下的应用

2023-01-05 10:09:23

小猫猫wlx: SiC器件可以使用的温度范围多少

答：-55V --- 175V

2023-01-05 10:05:39

lxl666: SiC MOSFET输出效率能达到多少？

答：SIC MOSFET的效率需要根据具体方案测算，在高频，高压，大电流，结构要求紧凑等应用中SIC MOSFET性能非常优越。

2023-01-05 10:09:48

平凡1969: 相对SIC富昌电子有哪些优势？

答：SiC提供的应用方案技术成熟，可靠性高。提供完整的应用测试结果

2023-01-05 09:58:11

zhyouer: 是不是所有的SI元件都可替換成SIC？

答：目前碳化硅主要以1200V为主，650V也有，但不多。650V以下没有，也即无法合理的替代Si器件。高压1700V3300V的碳化硅也可以替代一些硅器件，但在这个电压等级目前还有几百A 以上的大电流SiC器件

2023-01-05 10:08:58

jf_37190574: Sic禁带宽度多少，是否可以改变禁带宽度

答：大概在3.多ev，是普通SI的3倍

2023-01-05 10:06:18

otsuka: SiC半导体方案，在散热方面有哪些处理方式？

答：一般情况下，SIC 半导体的热效率本身比硅基半导体要优越，具体散热方式需要通过产品电流，体积结构，以及工作温度范围等条件具体测算。

2023-01-05 10:01:13

jf_69233216: SiC器件有专用的驱动器吗？

答：有的，我们富昌能提供专用的驱动芯片方案，隔离的、非隔离的、车轨的、满足功能安全等驱动方案都有

2023-01-05 10:10:47

efans_dea: SiC和GaN都是第三代半导体吧？两者主要区别是什么？

答：GaN的技术路线多一些，在现在的主流技术小，GaN关注于650V以下的应用。SiC主要650V以上的应用。

2023-01-05 10:09:47

jf_78913074: SiC的电子迁移率多少

答：2*10^7

2023-01-05 10:02:14

zhengyuzhang417: SiC是工业级的产品还是汽车级的产品，稳定工作的温度范围区间是多少？

答：工业级和汽车级SiC器件都有，结温在-40~175°

2023-01-05 10:10:22

wrtiger88: 和氮化镓哪个市场占比更高

答：目前来说氮化镓主要还是在快充领域使用较多

2023-01-05 10:08:33

jf_96055798: 散热如何设计，考虑哪些方面因素

答：一般来说，SIC器件热效率本身就是高于硅基器件。散热设计需要考虑需要器件工作温度限制在可控温度范围之内，具体测算需要根据电流，散热条件，热阻等因素测算。

2023-01-05 10:12:53

songpengemail: 目前SiC器件良率是多少？衬底采用国外的占比是多少？采用国内SiC衬底的器件良率是多少

答：每家的具体数据我们没有，但是确定是比传统的MOSFET低很多。国外的市场上占大多数，比较比我们国产早发展10多年

2023-01-05 10:13:58

wwy23: sic这个有没有100V 200A的管子推荐的

答：目前SIC还是主要集中在高压，还未有低压的产品

2023-01-05 10:04:57

linghz: sic的方案的emc怎么处理？

答：SiC方案和Si方案在EMC方面处理方式差不多，因频率和电压比较高，建议在设计十尽量减小相关的寄生参数

2023-01-05 10:14:52

wwy1988: SiC能否超越摩尔定律？

答：功率器件不适合摩尔定律，功率现在好多还是用um的工艺生产，不是MCU的nM