2023-01-05 09:57:11

ezcui_4a5: 碳化硅器件是否也有哪些性能短板呢？

答：SiC的MOSFET Vgsth比较低，Vgs的最低耐负压一般也不高，所以驱动设计比较有挑战

2023-01-05 10:33:23

xscc: 请问SiC器件的EMC特性是否更优呢？

答：SiC的开关速度更快，同样的线路，SiC不会更好

2023-01-05 10:17:52

隆中山夫4738: sic做不到IGBT的大电流，怎么在风光储上面替换IGBT呢

答：目前已有很多用户使用SiC器件应用在光伏储能产品多年，最典型的应用如PV汇流箱，目前基本上都在使用SiC，

2023-01-05 10:36:38

zhyouer: 在测试、测量各种负载下的效率和单相充电的电压范围时，SiC的效率一般可以实现多大？

答：这个一般都是对比数据，相同的线路，可以有1%-2%的改善

2023-01-05 10:26:51

隆中山夫4738: sic耐短路时间有多少时间

答：一般可到3uS左右

2023-01-05 10:40:22

wwy1988: SiC雪崩能力怎么样？

答：比较差一些。短路时间一般只有2-3uS

2023-01-05 10:55:58

隆中山夫4738: 在主驱逆变180KW上面，sic怎么实现大电流呢，目前sic mos的内阻选多少

答：180KW应用模块的居多了，当然也可以做并联，联系下我们的工程师帮你选型

2023-01-05 10:32:50

geo_leo: SiC MOSFET不需要体二极管么？

答：内部已经集成

2023-01-05 10:33:18

zhyouer: 变压器的每匝导线间，是不是都会有寄生电容？

答：是的

2023-01-05 10:57:13

wwy1988: 电车的OBC、逆变器在今后的五年对于SiC的需求增长量是否有预判？

答：目前乐观预计，这个需求在成倍的增长，必将带来器件的价格下降，所以会是个趋势

2023-01-05 10:42:13

wwy1988: SiC的SCWT与igbt怎么样？

答：对比有短路能力的IGBT，IGBT一般是5-10uS， SiC只有2-3us

2023-01-05 10:47:33

yuanyufang: Traction应用，主要在哪些行业或者领域？

答：目前最主要是电动汽车的应用

2023-01-05 10:18:11

lxl666: SIC Mosfet的抗雪崩能力如何？

答：SIC MOSFET短路事件可能是错误和失控的工作条件引起的，器件开关顺序命令出错。当漏源电压VDS超过击穿电压额定值时，会发生雪崩事件。

2023-01-05 10:00:54

jinlai888: SiC在1000度以上会被氧化吗?

答：1000度是会被氧化的， 最高温度再五六百度一下,

2023-01-05 10:38:53

李开鸿: 目前最大能做到多少安培？

答：300多A

2023-01-05 10:52:08

htbetter: TO-247-3封装的SiC二极管是封装了2个二极管么

答：3脚一般是两个封装，也有单个封装的，具体看原厂规格书

2023-01-05 09:53:46

haiyunsong: 只能应用在储能领域？

答：可以用多领域，主要是电源相关的多一些，包括EV的电机驱动

2023-01-05 10:43:16

jerlin8899: 控制部分是DSP还是控制芯片做的？

答：都有，都可以

2023-01-05 10:19:44

金ke: 碳化硅的性质和用途?

答：高效节能，电压高，高频。主要针对高效率产品，对体积要求紧凑，热效率优越的产品。

2023-01-05 10:58:52

wwy1988: 从Si IGBT切换到SiC功率器件时，成本是否可以有销的控制？

答：成本要总体分析，考虑散热片减小，结构件减少等成本