2023-01-05 11:03:42

jf_48981820: 怎么联系技术支持

答：富昌的官网有各大城市联系方式，有相应的销售和FAE支持

2023-01-05 10:50:24

yuanyufang: 第三代半导体SiC的最高支持的工作电压可达到多少伏？

答：单管方案目前大概在1700V

2023-01-05 09:47:20

kaokaohe: 富昌电子的解决方案有哪些优势特点？

答：我们的参考设计都是按照市场主流参数或者客户的需求来做的，也会在客户那里做验证。可以帮助你快速入手。

2023-01-05 11:05:34

zhyouer: SIC功率器件的门控电压一般是多大？

答：每个牌子有点不同，一般都是2-4V之间

2023-01-05 10:52:08

xscc: SiC功率模块是包含了驱动器在里面吗？

答：有的SiC功率模块是包含驱动的

2023-01-05 09:50:12

jf_92912967: 第三代功率半导体SiC相比前面两代都有哪些方面的提升？

答：主要是开关频率，高压应用，以及高温下使用。

2023-01-05 10:54:28

zhyouer: 在散热方面有哪些改进？

答：热损耗更小了，同时热阻也更低

2023-01-05 10:52:42

zhyouer: 车载高转速电机的开关频率是不是就比较高？

答：不需要过高的频率，一般几十kHz

2023-01-05 10:02:09

htbetter: 不同厂家的SiC产品最适合的驱动电压范围有差异，SiC不能直接替换

答：驱动电路和EMI回路要做一些调整，最好最双脉冲来评估要替代的sic

2023-01-05 11:09:45

liweicheng1985: SIC有哪些优势

答：1200V这个电压级别优势明显。以前只有IGBT选，并且开关速度还上不去，SiC MOSFET给了我们工程师更多的选择

2023-01-05 11:11:30

zhyouer: SiC的gate driver会有什么不同吗？

答：目前已经有很多家，专门针对sic的驱动了

2023-01-05 10:28:46

wrtiger88: 不同方案的损耗情况都有哪些不同 或者对比一下

答：具体方案，需要具体分析，比如低压产品，SIC MOSFET和 SI MOSFET在同样品驱动频率，损耗区别并不会差别太大，但是高频应用，热效率要优于硅基器件。在高压，高频，小体积产品上表现比较优越。

2023-01-05 10:52:14

wwy1988: SiC器件在EV/HEV上的应用主要包括哪些部件？

答：车载充电OBC、DCDC、电机驱动等部分都可以使用碳化硅器件

2023-01-05 10:32:33

harvey_66: 输出功率多少？

答：输出功率需要根据具体产品分析，通过并联设计，理论上可以做到无限大。

2023-01-05 10:58:11

ezcui_4a5: 散热条件是否可以降低？

答：是的，同等设计条件下，相对于Si器件热量更小了，热阻更低

2023-01-05 11:03:59

htbetter: SiC是不是驱动电压越高，短路耐受时间越小

答：一般是这样的

2023-01-05 11:05:26

ezcui_4a5: 能否串并联应用？

答：可以并联

2023-01-05 10:44:05

zjk103: SiC内阻多少？功率损耗多大？

答：SiC单管最低可以做到14mOHM ,模块可以做到4mOHM

2023-01-05 11:13:09

htbetter: SiC的计生电容比较小，需要的驱动能量小，是不是抗干扰能力要弱一些

答：对的

2023-01-05 11:17:02

隆中山夫4738: sic能耐多高温度

答：175°