SiC具有 3 倍于Si材料的禁带宽度，10 倍于Si材料的临界击穿电场强度，3 倍于Si材料的热导率， 这使得SiC更加适合于高频、高压、高温等应用场合，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升。
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，进而缩短产品的设计周期、加快行业发展的步伐。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术、项目经验积累，在储能ESS，电机驱动EV Inverter应用上颇有心得。

本次研讨会将在以下几个方面重点展开：
• 第三代功率半导体SiC的市场趋势
• 相比于Si器件，SiC的优势
• ESS应用里SiC的设计探讨
• Traction应用里SiC的设计探讨