2023-01-05 09:51:38

wzsmzl: SiC支持的频率应用范围？

答：建议50kHz~500kHz, 具体频率根据具体的应用确定

2023-01-05 09:52:53

18320: 官网是什么

答：您好，富昌电子的官网是 www.FutureElectronics.cn 上面除了有解决方案、技术资料外，也可以在线采购元器件或查看富昌电子全球库存信息。

2023-01-05 09:50:45

wzsmzl: 富昌电子的SiC目前支持最大的功率应用？

答：富昌的SiC器件有分立和模块，最大可以做到几百kW的功率应用

2023-01-05 09:51:23

shichenggong666: 相比于Si器件，SiC的优势有哪些？

答：主要有耐压高，热阻低，寄生电容小等，具体的优势将在稍后的PPT交流中详解

2023-01-05 09:47:54

song33: 应用领域有哪些？

答：SiC主要优点是高电压，所以1200V应用比较多，如现在800V汽车的OBC，DCDC，EV驱动。650V的主要是体二极管是SiC二极管，所以无桥PFC用的多，对于追求高密度电源DCDC部分也可以用SiC MOSFET

2023-01-05 09:52:55

沈卫民: SIC的最小功率是多少？

答：目前最小功率可做到几十瓦，可作为储能或大功率马达应用的辅助电影

2023-01-05 09:50:21

w1095109168: 成本方面优势有哪些

答：如果单独比较器件成本，SiC目前还是比同规格的MOSFET和IGBT贵的，但是我们需要同步分析系统的散热，机械结构，电源效率的综合成本，SiC还是有优势的

2023-01-05 09:56:14

gaozhou88: SiC技术在储能系统中的应用优势是什么

答：提高频率，减小体积、降低LC器件和散热系统的成本，

2023-01-05 09:51:49

jf_92912967: Traction是什么？

答：Traction

2023-01-05 09:56:54

zhyouer: SiC Mosfet的Vth稍低，那么设计时注意哪些？

答：注意米勒效应，根据不同的SiC器件和应用拓扑，可适当加入负压驱动

2023-01-05 09:53:25

weicili: MOSFET的设计需要注意什么？

答：主要是驱动的设计，每个品牌官网都要相应的驱动DEMO给客户参考，还有相应的双脉冲测试数据参考。富昌代理相应的很多品牌的siC

2023-01-05 10:00:24

jf_73150874: SiC碳化硅的温度范围多少？

答：大多数器件的结温可工作在-40°C~175°C

2023-01-05 10:09:00

jf_34933721: siC的MOSFET，管子是开关频率可以达到更高吗

答：是的，因为开关损耗更低

2023-01-05 10:07:49

htbetter: 现在实际用到SiC的系统中，开关频率远低于SiC本身支持的开关频率，是什么原因

答：主要是考虑EMC EMI和可靠性、以及效率等因素

2023-01-05 09:55:17

zhyouer: 碳化硅器件在抗电流冲击方面具有什么特点？

答：你这个抗电流应该是指器件的雪崩能力，相同的规格下，SiC的还是比传统的SI MOSFET 和IGBT差一些，一般可以有2-3us的抗短路电流。

2023-01-05 10:00:35

jf_85251578: 富昌电子关于SiC方案是基于哪家的产品设计的？

答：目前我们在inverter的参考设计主要以ON和基本半导体的SiC为主

2023-01-05 10:07:31

zhyouer: 储能系统都有多个能源转换步骤，一般可以从 SiC器件中获得哪些作用？

答：SiC器件的作用比较多。以光伏储能为例，MPPT升压的汇流箱，储能充电，并网逆变到AC 电网，以及反过来由储能电池逆变到AC，单向或双向逆变都可使用SiC器件。以及新能源汽车的主电机驱动等

2023-01-05 10:06:02

htbetter: 大功率应用中，会不会有SiC并联应用的情况

答：会的，但一般不建议并列太多，不超过3片为宜

2023-01-05 10:09:58

wxgsnake: 与氮化镓比较那个前景更好

答：很难说哪个更好，因为氮化镓主要是在650V以下的中低压应用。而碳化硅器件主要在1200V 以上，在高压中使用

2023-01-05 10:18:59

金ke: 电动汽车高压充电必须使用sic或mosfet半导体吗?

答：是的