2018-08-22 11:06:49

曹彦飞12: 利用功率模块bsm300d12p2e001搭建H桥进行测试时，由于未采用冷却导致温度过高，一个模块炸裂，另一个模块未损坏，但是承受过高温，继续使用会有什么安全隐患吗？谢谢

答：不清楚未损坏的标准是什么。真的经过完整检验未损坏的话，承受过高温是不会用安全隐患的。

2018-08-22 11:07:35

wayaj: 氮化镓功率器件能应用于电力系统吗？

答：GaN目前只有650V产品，理论下不会有超过1200V的产品。如果你说的电力系统是高压的，不适用。低压的话可以

2018-08-22 11:11:07

1343: GaN在低压功率器件上的应用前景

答：前景非常广阔，将来可以全面替代650V以下的Si产品。但目前由于技术和价格限制应用并不多。

2018-08-22 11:13:15

jinlai888: 作为第三代半导体材料，GaN和SiC各自的优势是什么？

答：GaN的频率可以做到非常高，但耐压做不高。SiC耐压可以做得非常高，但频率小于GaN。

2018-08-22 11:17:06

davidskywwwr: SIC为何电流做不大？现在最高能做到多少？

答：SiC的电流也可以做很大的，目前没有是性价比的原因。目前最高有600A

2018-08-22 11:17:58

华中某胖: 但是目前的一些器件datasheet看来，这个热阻值的优势相比于IGBT并不是很大，是不是优势还没有完全利用起来呢？是与工艺有关么？

答：热阻少的前提是同等面积下，但SiC的芯片面积都会比IGBT的小很多。

2018-08-22 11:19:43

jinlai888: 如何调整碳化硅 mosfet 驱动减少功率损耗

答：这个说起来很大，简单来说就是要消除各种寄生参数，并选择好型号，并不是内阻越小损耗就越小的。

2018-08-22 11:20:27

1857: 混合碳化硅功率模块工作频率是多少

答：不会太高，受IGBT限制，最高不过40KHz吧。

2018-08-22 11:20:51

1343: 应用了sic mosfet可以不用软开关吗

答：这个不一定。只能说多数场合都可以

2018-08-22 11:25:58

樗树樗树: 请问SiC功率器件运用在光伏、新能源汽车中 ，它相对于Si器件能带来的优势是什么，能给出具体一点的说明吗？

答：主要是更高的效率和更小的体积